| 基板材料 |
HDI基板使用材料 |
RCC（65T、100T）、LDPP（IT-180A 1037、1086）、標準PP 106、1080
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| 高Tg FR4（ハロゲンフリー） |
Shengyi S1165、Kingboard HF-170 |
| 標準Tg FR4（ハロゲンフリー） |
Shengyi S1155、KB-6165G |
| 高CTI材料 |
Shengyi S1600L、KB6165GC、KB-6169GT |
| 高Tg FR4 |
FR408、FR408HR、IS410、FR406、GETEK、PCL-370HR；S1000-2、S1000-2M、IT180A、IT-150DA；N4000-13、N4000-13EP、N4000-13SI、N4000-13EP SI；Megtron4、Megtron 6/7/8（Panasonic）；EM-827（Elite）、GA-170（ITEQ）；NP-180（Nan Ya）；TU-752、TU-662（TUC）TU-872、MCL-BE-67G(H)、MCL-E-679(W)、MCL-E-679F(J)（Hitachi）
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| 標準FR4 |
Shengyi S1141、S1000H、ITEQ IT158、Kingboard KB-6160、KB-6165 |
| セラミックフィラー充填高周波材料 |
Rogers 4000シリーズ（RO4350B、RO4003、RO4725、RO4730）、Shengyi（SJ9033、SJ9036）
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| セラミック系プリプレグ |
RO4450T/F、SJ930B、SJ936B |
| PTFE系高周波材料 |
Rogers（Arlon）シリーズ、Taconicシリーズ、Taizhou Wangling F4BM/TPシリーズ、Shengyi、Guoneng、Ruilong、Zhongying、Jiuyou
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| PTFEプリプレグ |
Rogers 6700、Taconic FR-28、RT6002 |
| 高周波材料混圧 |
Rogers（Arlon）、Taconic、Nelco、Shengyi SJシリーズとFR-4の混圧（RO4350局部混圧を含む）
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| 基板構造 |
標準基板タイプ |
バックボード基板，多層IVH / BVH（非貫通スルーホール），埋込銅ブロック、厚銅電源基板、バックドリル、ステップスロット、端面メッキ，皿穴 / 座ぐり穴
、POFV、深さ制御ドリル、プレスフィット穴、ステップ基板
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| IVH / BVH（非貫通スルーホール）基板タイプ |
同一面最大3回まで積層プレス |
| 表面処理 |
表面処理タイプ |
有鉛はんだ/無鉛はんだ，電解 Ni/Au メッキ（基銅厚さ≦2oz），無電解金フラッシュ(ENIG)，無電解錫メッキ（Immersion Tin），電解銀メッキ、無電解銀メッキ（Immersion Silver）， 水溶性プレフラックス（OSP）；電解金メッキ（Ni有／無），Soft Gold（Ni有／無）；無電解金フラッシュ(ENIG)+水溶性プレフラックス（OSP），無電解金フラッシュ(ENIG)＋Gold Finger、全板Ni/Au＋Gold Finger、無電解銀メッキ（Immersion Silver）＋Gold Finger；無電解錫メッキ（Immersion Tin）＋Gold Finger；ENEPIG、EPIG
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| はんだ（HASL） |
はんだ厚み：1～40µm（有鉛0.4µm大パッド、無鉛1.5µm大パッド） |
| 電解 Ni/Au メッキ |
ニッケル厚み：≥3µm；金厚み：0.025～0.1µm |
| 無電解金フラッシュ(ENIG) |
ニッケル厚み：3～8µm；金厚み：0.025～0.075µm |
| 無電解錫メッキ（Immersion Tin） |
錫厚み：0.8～1.5µm |
| 電解錫メッキ |
錫厚み：2～10µm |
| 無電解銀メッキ（Immersion Silver） |
銀厚み：0.1～0.4µm |
| 電解銀メッキ |
銀厚み：0.1～5µm |
| 水溶性プレフラックス（OSP） |
OSP膜厚：0.2～0.4µm |
| 電解金メッキ（Co含む） |
0.05～4.0µm |
| 軟質金メッキ |
0.05～2.0µm |
| ENEPIG |
Ni：3～8µm、Pd：0.05～0.15µm、Au：0.05～0.1µm |
| EPIG |
Pd：0.05～0.15µm、Au：0.05～0.1µm |
| レジスト厚さ |
カーボンインク |
8～20µm |
| レジストインク |
10～18µm（銅面上）；5～8µm（ビア上）；配線コーナー≥5µm（単回印刷、銅厚48µm以下）
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| ブルーグルー |
0.20～0.80mm |
| 通常穴 |
機械ドリル穴径（完成品） |
0.125〜6.5mm（対応ドリル刃径：0.15〜6.5mm）
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A. PTFE材料および混圧材料の最小完成穴径0.2mm（対応ドリル刃径：0.25mm）
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B. 機械IVH / BVH（非貫通スルーホール）穴径≤0.30mm（対応ドリル刃径：≤0.40mm）
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C. パッドオンビア（グリーンレジン充填）の穴径≤0.55mm（対応ドリル刃径：0.6mm）
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D. 連結ビア最小径0.35mm（対応ドリル刃径：0.4mm）
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E. メタライズドハーフホール最小完成径0.30mm（対応ドリル刃径：0.35mm）
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| 電気めっきビアフィル層 最小配線幅／間隔 |
3/3mil（ライン間）; 3/3mil（ラインとパッド間、パッド間） |
| 電気めっきビアフィル基板の積層回数 |
≤3回 |
| 機械ドリル穴径と板厚比 |
スルーホール最大アスペクト比：20:1（ドリル径＞0.15mmの場合）
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| 穴位置精度公差（CADデータ比） |
±2.5mil |
| PTH穴径公差 |
±3mil |
| 圧入穴径公差 |
±2mil |
| NPTH穴径公差 |
±2mil（限界：+0/−2mil または +2/−0mil） |
| 樹脂充填ビアの仕上がり穴径範囲 |
0.1〜0.9mm（対応ドリル径：0.15〜1.0mm） |
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樹脂充填ビア最大アスペクト比（板厚／ドリル径）
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20:01:00 |
| 樹脂充填ビア最小パターン幅/間隔 |
3/4mil（ライン‐ライン）；3/3.5mil（ライン‐パッド、パッド‐パッド） |
| スルーホール最大アスペクト比 |
20:01:00 |
| 機械制御深さドリルブラインドビア（BVH） 最大深さ／穴径比 |
1.3:1（穴径≤0.20mm）、1.15:1（穴径≥0.25mm） |
| 機械制御深さドリル（バックドリル）最小深さ |
0.1mm |
| バックドリル穴径 |
0.4〜6.5mm |
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バックドリル
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層間絶縁厚（ターゲット層〜次層） |
≥0.15mm |
| バックドリル深度精度公差 |
±0.075mm |
| 異形穴 |
ドリル刃形状 |
特殊ドリル：82°、90°、120°、135°（テーパー穴ドリル径：0.3〜10mm）
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| テーパー穴/段付き穴角度・径 |
標準ドリル：130°（ドリル径≤3.175mm）、165°（ドリル径3.175〜6.3mm）
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| 段付き/テーパー穴角度公差 |
±10° |
| 段付き/テーパー穴入口径公差 |
±0.15mm |
| 段付き/テーパー穴深さ公差 |
±0.10mm |
| 異形スロット穴公差（ミリング） |
±0.10mm |
| 深さ制御ミリング溝（NPTH）深度精度 |
±0.10mm |
| ドリルスロット最小公差 |
NPTHスロット：長さ/幅≥2 の場合 ±0.05mm
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PTHスロット：長さ/幅≥2 の場合 ±0.075mm；1.5＜長さ/幅≤2 の場合 ±0.10mm
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| ミリングスロット最小公差 |
NPTH：スロット幅・スロット長方向ともに ±0.10mm
PTH：スロット幅・スロット長方向ともに ±0.13mm
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レーザービア内層・外層パッド最小寸法
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10mil（4milレーザービア）、11mil（5milレーザービア）
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機械ビア内外層パッド最小寸法
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14mil（8milドリル）
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| パッド（ランド／アニュラリング） |
BGAパッド最小径 |
6mil |
| パッド公差 |
±0.05mm |
| パターン幅／間隔 |
内層 |
1/3oz、 1/2oz: 2.5/3.0 mil |
| 1oz：3 / 4 mil |
| 2oz：4 / 5 mil |
| 3oz：5 / 8 mil |
| 4oz：6.5 / 11 mil |
| 5oz：7 / 13.5 mil |
| 6oz：8 / 15.5 mil |
| 7oz：9 / 18 mil |
| 8oz：10 / 21 mil |
| 外層 |
1/3 oz：2.5 / 3 mil |
| 1/2 oz：3.0 / 3.0 mil |
| 1 oz：3.5 / 3.5 mil |
| 2 oz：6 / 7 mil |
| 3 oz：7 / 10 mil |
| 4 oz：8 / 13 mil |
| 5 oz：9 / 15.5 mil |
| 6 oz：10 / 18.5 mil |
| 7 oz：11 / 22 mil |
| 8 oz：12 / 26 mil |
| 間隔加工設計 |
機械ドリル穴と導体の最小距離（非ブラインドビア・ベリードビア、1 段レーザーブラインドビア）
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5.5mil（≤8層）；6.5mil（10～14層）；7mil（＞14層） |
|
外形ルーター加工時の外層パターン最小距離（銅露出防止）
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8mil |
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V-CUT中心線と内外層配線の最小距離（H＝基板厚）
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1.0＜H≤1.6mm：0.36mm（20°）、0.4mm（30°）、0.5mm（45°）
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|
1.6＜H≤2.4mm：0.42mm（20°）、0.51mm（30°）、0.64mm（45°）
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|
2.4≤H≤3.0mm：0.47mm（20°）、0.59mm（30°）、0.77mm（45°）
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| 内層アイソレーション帯最小幅 |
8mil |
|
外形ルーター加工時の外層パターン最小距離（銅露出防止）
|
10mil |
| 金端子面取り時の TAB 傷付き防止最小距離 |
6mm |
| 同一ネット穴壁間最小距離 |
6mil（スルーホール）、8mil（機械 IVH/BVH） |
| 異なるネット穴壁間最小距離 |
12mil |
| ENIGパッド最小間隔 |
3.5mil（基銅12µm、18µm対応）
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金端子間最小間隔
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5mil
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| はんだ（HASL）パッド最小間隔（レジストなし） |
7mil（大銅面内パッド間隔10mil） |
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ブルーグルーとパッド最小隔離
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14mil
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文字とパッド最小隔離
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5mil（シルク印刷）、4mil（インクジェット印刷）
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カーボンインク間最小隔離
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13mil
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| セラミック基板 |
層数 |
1〜2層 |
| 板厚範囲 |
最大：140 × 140mm / 最小：5 × 5mm |
| 金属部表面処理 |
水溶性プレフラックス（OSP），無電解金フラッシュ(ENIG)、無電解銀メッキ（Immersion Silver）、無電解錫メッキ（Immersion Tin） ENEPIG，EPIG |
| セラミック誘電体厚さ |
0.2 / 0.25 / 0.3 / 0.381 / 0.5 / 0.635 / 0.8 / 1.0 / 1.2 / 1.5 mm
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| 銅厚 |
35µm、60µm、150µm以上 |
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セラミック材料
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TLCC、HTCC、DBC、DPC（AlN、Al₂O₃）
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熱伝導率
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24〜220 W/m·K
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| 銅ブロック埋め込み基板 |
銅ブロックサイズ
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3×3mm〜70×80mm
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銅ブロック高さ差精度
|
±25μm
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銅ブロックと孔壁距離
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≥12mil
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銅ブロック厚さ
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0.3〜3.0mm
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| 高精密基板 基本仕様 |
内層板最小厚さ |
0.05mm（（IVH / BVH基板（非貫通スルーホール））なし、0.13mm（IVH / BVH（非貫通スルーホール）あり） |
| 層数 |
1〜40層 |
| 板厚範囲 |
0.2〜7.0mm |
| 最小完成サイズ |
2×2mm |
| 最大完成サイズ |
片面PCBおよび両面PCB：600×1200mm、多層PCB：560×1150mm。
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| 層間位置合わせ精度 |
≤4mil（8層以下） |
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板厚公差
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基板板厚≤1.0mm：±0.1mm
|
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基板板厚＞1.0mm：±10%
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板厚の特殊公差要件（層間構造に関する指定なし）；≤2.0mm：±0.1mm；2.1〜3.0mm：±0.15mm；3.1〜7.0mm：±0.25mm
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| 外形加工設計 |
インピーダンス公差 |
シングルエンド：±5Ω / 差動：±5Ω |
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外形寸法公差
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±0.05mm
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| 外形位置公差 |
0.075mm |
| 反り・ねじれ最大値 |
0.50% |
| 内外層完成銅厚（最大） |
内層：10oz / 外層：20oz |
| 絶縁層最小厚さ |
2mil |
| シルク文字最小線幅・高さ |
線幅4mil / 高さ23mil（基銅12µm、18µm）；線幅5mil / 高さ30mil（基銅35µm）；線幅6mil / 高さ45mil（基銅70µm）
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| 内角最小R |
0.3mm |
| V-CUT角度公差 |
±5° |
| V-CUT対称度公差 |
±4mil |
| V-CUT残厚公差 |
±4mil |
| V-CUT適用板厚 |
基板厚≥0.4mm（外層銅除く）、完成板厚≤3.2mm；基板厚≤0.6mmの場合、片面V-CUT推奨
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|
外形加工方法
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ルーター加工、V-CUT、ブリッジ接続、ミシン目
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金端子面取り角度公差
|
±5°
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金端子面取り残厚公差
|
±5mil
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| レジスト設計仕様 |
レジストブリッジ最小幅 |
銅厚≤1oz：4mil（緑）、5mil（他色）、6mil（大銅面）
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| 銅厚2～4oz：20mil |
| レジスト開口 片側最小値 |
2mil |
| レジスト開口と配線の最小距離 |
3mil |
| レジスト開口とNPTHの最小距離 |
6mil |
| レジストカラー |
緑、緑(ツヤ消し)、黄色、黒、黒(ツヤ消し)、青、赤、白、紫、透明、グレー、なし
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| シルクインクカラー |
白、黄、黒、なし |
| テストパラメータ |
導通抵抗最小値 |
10Ω |
| 絶縁抵抗最大値 |
100MΩ |
| 最大テスト電圧 |
300V |
